 | Programme d’études 2017-2018 | English | |
 | Technologie plasma pour le traitement des matériaux (Partie A) | ||
Activité d'apprentissage à la Faculté des Sciences |
| Code | Titulaire(s) | Co-Titulaire(s) | Suppléant(s) et autre(s) |
|---|---|---|---|
| S-CHIM-120 |
|
| Langue d’enseignement | Langue d’évaluation | HT(*) | HTPE(*) | HTPS(*) | HR(*) | HD(*) | Période d’enseignement |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Français | Français | 15 | 0 | 15 | 0 | 0 | Q1 |
Contenu de l'AA
Description du milieu plasma, caractéristiques des plasmas froids, pulvérisation magnétron (réactive), méthodes impulsionnelles, procédés PECVD, cas de la polymérisation plasma, croissance de films minces
Supports principaux non reproductibles
Transparents contenant les figures à disposition
Support complémentaires non reproductibles
Sans objet
Autres références conseillées
B. Chapman, Glow Discharge Processes: Sputtering and Plasma Etching, Wiley & Sons D. L. Smith, Thin Films Deposition, McGraw-Hill, Inc. M. Ohring, Materials Sciences of Thin Films, Academic Press
Mode d'enseignement
- Face à face
Types d'activités
- Cours magistraux
- Conférences
- Préparations, travaux, recherches d'information
Evaluations
Les modalités d'évaluation de l'AA sont précisées dans la fiche de l'UE dont elle dépend
(*) HT : Heures théoriques - HTPE : Heures de travaux pratiques encadrés - HTPS : Heures de travaux pratiques supervisés - HD : Heures diverses - HR : Heures de remédiation - Dans la colonne Pér. (Période), A=Année, Q1=1er quadrimestre et Q2=2e quadrimestre