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![]() | Technologies plasma pour le traitement des matériaux | ||
Unité d’enseignement du programme de Master en sciences chimiques , à finalité approfondie (MONS) (Horaire jour) à la Faculté des Sciences |
Code | Type | Responsable | Coordonnées du service | Enseignant(s) |
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US-M2-CHIMFA-013-M | UE optionnelle | SNYDERS Rony | S882 - Chimie des Interactions Plasma-Surface |
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Langue d’enseignement | Langue d’évaluation | HT(*) | HTPE(*) | HTPS(*) | HR(*) | HD(*) | Crédits | Pondération | Période d’enseignement |
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| Français | 20 | 12 | 15 | 0 | 0 | 3 | 3.00 | 1er quadrimestre |
Code(s) d’AA | Activité(s) d’apprentissage (AA) | HT(*) | HTPE(*) | HTPS(*) | HR(*) | HD(*) | Période d’enseignement | Pondération |
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S-CHIM-120 | Technologies plasma pour le traitement des matériaux (Partie A) | 20 | 0 | 15 | 0 | 0 | Q1 | |
S-CHIM-150 | Technologies plasma pour le traitement des matériaux (Partie B) | 0 | 12 | 0 | 0 | 0 | Q1 |
Unité d'enseignement |
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Objectifs par rapport aux acquis d'apprentissage du programme
Acquis d'apprentissage de l'UE
A l'issu du cours l'étudiant sera capable de: - Décrire les spécificités des plasma froids - Décrire le fonctionnement d'une décharge magnétron - Décrire le fonctionnement d'un procédé PECVD - Expliquer les mécanismes mis en jeu lors de la synthèse de films minces par les technologies plasma
Contenu de l'UE : descriptif et cohérence pédagogique
Description du milieu plasma, caractéristiques des plasmas froids, pulvérisation magnétron (réactive), méthodes impulsionnelles, procédés PECVD, cas de la polymérisation plasma, croissance de films minces
Compétences préalables
Théorie cinétique des gaz, électricité, structure de l'atome, distributions statistiques, spectre électromagnétique, phénomène de diffusion, structure cristalline des solides, caractérisation spectroscopique des surfaces
Type(s) et mode(s) d'évaluation Q1 pour l'UE
Commentaire sur les évaluations Q1 de l'UE
Lecture et préparation d'un article ne lien avec le cours. Ce dernier est présenté lors de l'examen et est suivi d'une séance de question/réponse.
Méthode de calcul de la note globale pour l'évaluation Q1 de l'UE
10 points pour la présentation de l'article et 10 points pour la discussion.
Type(s) et mode(s) d'évaluation rattrapage Q1 (BAB1) pour l'UE
Commentaire sur les évaluations rattrapage Q1 (BAB1) de l'UE
Sans objet
Méthode de calcul de la note globale pour l'évaluation rattrapage Q1 (BAB1) de l'UE
pas applicable
Type(s) et mode(s) d'évaluations Q3 pour l'UE
Commentaire sur les évaluations Q3 de l'UE
Lecture et préparation d'un article en lien avec le cours. Ce dernier est présenté lors de l'examen et est suivi d'une séance de question/réponse.
Méthode de calcul de la note globale pour l'évaluation Q3 de l'UE
10 points pour la présentation de l'article et 10 points pour la discussion.
Types d'activités
AA | Types d'activités |
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S-CHIM-120 |
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S-CHIM-150 |
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Mode d'enseignement
AA | Mode d'enseignement |
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S-CHIM-120 |
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S-CHIM-150 |
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Supports principaux non reproductibles
AA | Supports principaux non reproductibles |
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S-CHIM-120 | Transparents contenant les figures à disposition |
S-CHIM-150 | Aucun |
Supports complémentaires non reproductibles
AA | Support complémentaires non reproductibles |
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S-CHIM-120 | Sans objet |
S-CHIM-150 | Aucun |
Autres références conseillées
AA | Autres références conseillées |
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S-CHIM-120 | B. Chapman, Glow Discharge Processes: Sputtering and Plasma Etching, Wiley & Sons D. L. Smith, Thin Films Deposition, McGraw-Hill, Inc. M. Ohring, Materials Sciences of Thin Films, Academic Press |
S-CHIM-150 | Sans objet |