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![]() | Technologie plasma pour le traitement des matériaux | ||
Unité d’enseignement du programme de Master en sciences physiques (MONS) (Horaire jour) à la Faculté des Sciences |
| Code | Type | Responsable | Coordonnées du service | Enseignant(s) |
|---|---|---|---|---|
| US-M1-SCPHYS-019-M | UE optionnelle | SNYDERS Rony | S882 - Chimie des Interactions Plasma-Surface |
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| Langue d’enseignement | Langue d’évaluation | HT(*) | HTPE(*) | HTPS(*) | HR(*) | HD(*) | Crédits | Pondération | Période d’enseignement |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Français | 20 | 0 | 15 | 0 | 0 | 3 | 3.00 | 1er quadrimestre |
| Code(s) d’AA | Activité(s) d’apprentissage (AA) | HT(*) | HTPE(*) | HTPS(*) | HR(*) | HD(*) | Période d’enseignement | Pondération |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S-CHIM-120 | Technologies plasma pour le traitement des matériaux (Partie A) | 20 | 0 | 15 | 0 | 0 | Q1 | 100.00% |
| Unité d'enseignement |
|---|
Objectifs par rapport aux acquis d'apprentissage du programme
Acquis d'apprentissage de l'UE
A l'issu du cours l'étudiant sera capable de: - Décrire les spécificités des plasma froids - Décrire le fonctionnement d'une décharge magnétron - Décrire le fonctionnement d'un procédé PECVD - Expliquer les mécanismes mis en jeu lors de la synthèse de films minces par les technologies plasma
Contenu de l'UE : descriptif et cohérence pédagogique
Description du milieu plasma, caractéristiques des plasmas froids, pulvérisation magnétron (réactive), méthodes impulsionnelles, procédés PECVD, cas de la polymérisation plasma, croissance de films minces
Compétences préalables
Théorie cinétique des gaz, électricité, structure de l'atome, distributions statistiques, spectre électromagnétique, phénomène de diffusion, structure cristalline des solides, caractérisation spectroscopique des surfaces
Types d'activités
| AA | Types d'activités |
|---|---|
| S-CHIM-120 |
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Mode d'enseignement
| AA | Mode d'enseignement |
|---|---|
| S-CHIM-120 |
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Supports principaux non reproductibles
| AA | Supports principaux non reproductibles |
|---|---|
| S-CHIM-120 | Transparents contenant les figures à disposition |
Supports complémentaires non reproductibles
| AA | Support complémentaires non reproductibles |
|---|---|
| S-CHIM-120 | Sans objet |
Autres références conseillées
| AA | Autres références conseillées |
|---|---|
| S-CHIM-120 | B. Chapman, Glow Discharge Processes: Sputtering and Plasma Etching, Wiley & Sons D. L. Smith, Thin Films Deposition, McGraw-Hill, Inc. M. Ohring, Materials Sciences of Thin Films, Academic Press |
Reports des notes d'AA d'une année à l'autre
| AA | Reports des notes d'AA d'une année à l'autre |
|---|---|
| S-CHIM-120 | Non autorisé |
Evaluation du quadrimestre 1 (Q1) - type
| AA | Type(s) et mode(s) d'évaluation du Q1 |
|---|---|
| S-CHIM-120 |
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Evaluation du quadrimestre 1 (Q1) - commentaire
| AA | Commentaire sur l'évaluation Q1 |
|---|---|
| S-CHIM-120 | Préparation des questions par écrit en utilisant le cours. Lecture et discussion autour d'un article de recherche en relation avec le cours. |
Evaluation de l'épreuve de rattrapage du quadrimestre 1 (Q1) pour BAB1 - type
| AA | Type(s) et mode(s) d'évaluation rattrapage Q1(BAB1) |
|---|---|
| S-CHIM-120 |
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Evaluation de l'épreuve de rattrapage du quadrimestre 1 (Q1) pour BAB1 - commentaire
| AA | Commentaire sur l'évaluation rattrapage Q1(BAB1) |
|---|---|
| S-CHIM-120 | Sans objet |
Evaluation du quadrimestre 3 (Q3) - type
| AA | Type(s) et mode(s) d'évaluation du Q3 |
|---|---|
| S-CHIM-120 |
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Evaluation du quadrimestre 3 (Q3) - commentaire
| AA | Commentaire sur l'évaluation Q3 |
|---|---|
| S-CHIM-120 | Présentation orale et discussion autour d'un article de recherche en relation avec le cours. |